存储器的基本知识

RAM

Random-Access-Memory,随机储存存储器，可写应写，分成SRAM和DRAM，即静态数据任意存储器和动态随机存储器，了解上静动态性关键反映是不是必须更新，一般DRAM必须更新，不然数据信息将遗失;SRAM的高效率不错，而成本费较高，一般将SRAM做为cache应用。

PSRAM

Pseudostaticrandomaccessmemory，伪SRAM伪随机存储器，內部和DRAM类似，插口和SRAM类似，具备自更新作用，不用外界更新。而其成本费接近SRAM与DRAM中间。

双单端口号RAM

单端口号RAM同一時刻，只有考虑读或写某一姿势，而双端口号RAM存有两个单独的详细地址、数据信息、读写能力操纵等，能够另外开展2个实际操作，自然为防止矛盾，存有一定的诉讼操纵，成本费也高些。伪双口RAM是仅有两浏览插口，单一个端口号写保护，另一个端口号只有写。

ROM

Read-Only-Memory,写保护存储器，一般应用时一次写好，应用时只有开展读实际操作，而不可以开展写实际操作。

CACHE

髙速缓存存储器，因为存储器DDR/DRAM等相对性于CPU网站打开速度比较慢，提升的一级缓存储存空间，当必须CPU必须浏览运行内存某一块地区时，先缓存文件cache中，CPU浏览cache速率较快;但另外也必须提升解决DDR和CACHE中数据库同步、更换等难题。

TCM

Tightly-Coupled-Memory密不可分藕合(连接)的存储器，就是指和CPU连接密不可分,基础能够看作和CACHE同一级别联接的储存空间(印像中ARM构造上和L2CACHE同一层级)，其储存空间的內容不容易像CACHE解决一样常常更换。

EEPROM

ElectricallyErasableProgrammablereadonlymemory电可擦可编程控制器写保护存储器，跑电非易失的储存芯片，在独特高电压方式下能够插写，一般方式下写保护ROM。

FLASH

闪存芯片，和EEPROM一样可擦掉可重新写过，区别EEPROM一直按字节数实际操作，FLASH能够依照字节数块擦掉。FLASH有分Nand-Flash、Nor-Flash，Nor-flash能够依照字节数载入，而NandFlash只有按块载入，二者一样能够依照字节数块擦掉。Nor-Flash必须适用任意载入的详细地址、手机充电线，成本费比Nand-Flash高，并且可擦除频次小于NANDFLASH,一般置入系统软件中刚boot必须复位的编码必须置放在Nor-Flash中。

针对FLASH的载入系统总线能够有I2C、SPI串行通信型，还可以选用并行处理Parallel;一样Flash能够和CPU集成化在一起或者根据系统总线外界浏览。

eMMC

embeddedmultimediacard，集成化了NANDFLASH和操纵一部分的集成电路，出示像SD、TF(trans-flash)卡一样的应用插口。

电脑硬盘

传统式电脑硬盘选用磁原材料做为移动存储设备，固态盘应用FLASH，网站打开速度特性不错。