电力电子器件分类

门级驱动器特点：电压型、电流型

载流特点：单极型、双极型、复合性

门极操纵特点：不控型、半控型、全控型

电力二极管（Diode)工作电压型、双极型、不控型

在P型半导体上电焊焊接的引线称之为阳极氧化A（anode），在N型半导体上电焊焊接的引线称之为负极K（cathode）。原理未予过多阐释。

关键主要参数以下：

通态均值电流量：即额定电压，是二极管在要求的列管式溫度下，二极管能根据直流(中国50Hz)正弦交流电半波电流量的均值。

结温：二极管工作中时內部PN结的溫度，即芯管溫度。

反方向反复最高值工作电压和额定电流

可控硅（Thyristor）/晶闸管（SiliconControlledRectifier）电流量型、双极型、半控型

可控硅的四层PNPN半导体材料产生三个PN结，原理可以用双三极管实体模型表明。

关键主要参数以下：

通态均值电流量：在工作温度为40与在要求制冷标准下，平稳结温不超过额定值结温时，可控硅容许穿过的较大 正弦交流电半波电流量的均值。在具体运用中，可控硅穿过的电流量不一定是正弦交流电半波电流量，按具体波型电流有效值与正弦交流电半波幅值相同的标准，在早已获得根据可控硅具体波型电流量的幅值后，根据可控硅的通态均值电流量为。在挑选可控硅额定电压时，通态电流量均值也要提升一定的安全性裕量。

启用時间和关闭時间：开启后，可控硅阳极氧化电流量升高，电流量从零升高至恒定值10%的時间称之为时间延迟，从10%升高至恒定值90%的時间称之为增益值。启用時间为时间延迟和增益值之和，。

可控硅受反方向工作电压关拆断，会历经反方向阻隔修复時间和顺向阻隔修复時间两个阶段，假如可控硅顺向阻隔工作能力都还没恢复过来就给可控硅再加顺向工作电压，将会导致欺诈通（即沒有开启而产生的通断）。

门极可关闭可控硅GTO（GateTurn-offThyristor）电流量型、双极型、全控型

在通断的GTO还受顺向工作电压时，在门极加负单脉冲，使门极电流量反方向，（选用双三极管实体模型）能够 提取

所属基极处的大部分载流子。

电力工程晶体三极管GTR（GiantTransistor）电流量型、双极型、全控型

原理同BJT（双极结型晶体三极管），而BJT为模拟电子技术性基础內容，因而这里未予过多阐释。

电力工程场效应晶体三极管（power-MOSFET）工作电压型、单极型、全控型

MOSFET原理为模拟电子技术性基础內容，未予过多阐释。

绝缘层栅双极型晶体三极管IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）工作电压型、复合性、全控型

键入一部分为MOSFET，輸出一部分为双极型晶体三极管，因此兼顾MOSFET与GTR的优势，又另外摆脱了MOSFET管压力降金刚级GTR驱动器输出功率大的缺陷。

IGBT必须留意的是擎住效用，在IGBT內部存有一个内寄生三极管，假如IGBT集电结C处电流量超出额定电流，该内寄生三极管基极与射极中间的体区短路故障电阻器上压力降过大，内寄生三极管将通断，进而内寄生三极管与IGBT輸出一部分的三极管产生等效电路可控硅，前边详细介绍可控硅为半控型元器件，这时就算撤去IGBT门级工作电压，IGBT也会不断通断。