首页 > 资讯动态 > 3D IC 的概念和发展

3D IC 的概念和发展

2020-05-27 收购库存 资讯动态 136

从SiP系统软件级封裝的传统定义上而言,但凡有芯片层叠的都能够称作3D,由于在Z轴上拥有作用和数据信号的拓宽,不管此层叠是坐落于IC內部還是IC外界。可是现阶段,伴随着技术的发展趋势,3DIC却拥有其升级、更与众不同的含意。

根据芯片堆叠式的3D技术

3DIC的前期特性,现阶段仍广泛运用于SiP行业,是将作用同样的裸芯片从下高于一切堆在一起,产生3D层叠,再由两边的键合线联接,最终以系统软件级封裝(System-in-Package,SiP)的外型展现。层叠的方法能为金字塔式形、悬壁形、并列层叠等多种多样方法,查阅下面的图。

另一种普遍的方法是将一颗倒装焊(flip-chip)裸芯片安裝在SiP基钢板上,此外一颗裸芯片以键合的方法安裝在其上边,如下图图示,这类3D解决方法在手机中较为常见

根据微波感应器TSV的3D技术

在SiP基钢板与裸芯片中间置放一个中介公司层(interposer)硅基钢板,中介公司层具有硅埋孔(TSV),根据TSV相互连接硅基钢板上边与正下方表层的金属材料层。许多人将这类技术称之为2.6D,由于做为中介公司层的硅基钢板是微波感应器被动元件,TSV硅埋孔并沒有打在芯片自身上。如下图图示:

根据数字功放TSV的3D技术

在这类3D集成化技术中,最少有一颗裸芯片与另一颗裸芯片叠起来在一起,正下方的那颗裸芯片是选用TSV技术,根据TSV让上边的裸芯片与正下方裸芯片、SiP基钢板通信。如下图图示:

下面的图显示信息了无源TSV和数字功放TSV各自相匹配的2.6D和3D技术

之上的技术全是指在芯片制作工艺进行后,再开展层叠产生3D,实际上并不可以称之为真实的3DIC技术。这种方式基础全是在封裝环节开展,我们可以称作3D集成化、3D封裝或是3DSiP技术。

根据芯片工艺的3D技术

现阶段,根据芯片生产制造的3D技术关键运用于3DNANDFLASH上。飞利浦和三星在3DNAND上的超前性工作中产生了几大关键的3DNAND技术。飞利浦开发设计了BitCostScalable(BiCS)的加工工艺。BiCS加工工艺选用了一种先栅极方式 (gate-firstapproach),它是根据更替堆积金属氧化物(SiO)层和光伏电池(pSi)层完成的。随后在这个层层叠中产生一个安全通道孔,并添充金属氧化物-氮化合物-金属氧化物(ONO)和pSi。随后堆积光刻技术,根据一个持续的蚀刻工艺步骤,光刻技术整修并蚀刻工艺出一个台阶,产生互联。最终再蚀刻工艺出一个槽并添充金属氧化物。如下图图示。

三星则开发设计了TerabitCellArrayTransistor(TCAT)加工工艺。TCAT是一种后栅极方式 (gate-lastapproach),其堆积的是更替的金属氧化物和氮化合物层。随后产生一个越过这种层的安全通道并添充ONO和pSi。随后与BiCS加工工艺相近产生台阶。最终,蚀刻工艺一个越过这种层的槽并除去在其中的氮化合物,随后堆积三氧化二铝(AlO)、氮化钛(TiN)和钨(W)又对其开展回蚀(etchback),最终用坞添充这一槽。如下图图示。

3DNAND现阶段早已能保证64层乃至高些,其生产量已经跨越3DNAND,并且伴随着叠加层数的进一步拓展,3DNAND还能再次将摩尔定律非常好地持续。现阶段运用在IC生产制造上的3D技术也仅限NANDFLASH,伴随着技术的发展趋势,应当迅速也会运用到其他的IC行业,那时,真实的3DIC时期就来临了!

3D IC 的概念和发展



标签:IC芯片 3d技术

需求发布

◎ 回收街,专业处理一切库存资源回收,快速清仓变现,盘活闲置资产。
全国回收热线

400-9969-668

周一至周日09:00-21:00

在线咨询

回收街官方微信
手机扫一扫咨询
首页 电话咨询 在线咨询 闪速回收
  • 官方微信

    官方微信
  • 返回顶部